1064nm 10nm帶通濾光片

1064nm 10nm帶通濾光片

帶通濾光片都是在特定的波段允許光信號(hào)通過(guò)，而偏離這個(gè)波段以外的兩側(cè)光信號(hào)就被阻止了，它的通帶相對(duì)來(lái)說(shuō)都是比較寬的，一般半帶寬都是在40nm以上！而該產(chǎn)品是在帶通濾光片中分出來(lái)的，是屬于帶通濾光片的一種，它的定義跟帶通濾光片是一樣的，都是在特定的波段允許光信號(hào)通過(guò)，而偏離這個(gè)波段以外的兩側(cè)光信號(hào)就被阻止了，但是窄濾光片是相對(duì)來(lái)說(shuō)是比較窄的。

蒸發(fā)沉積
 
在蒸發(fā)沉積時(shí)，真空室中的源材料受到加熱或電子束轟擊而蒸發(fā)。蒸氣冷凝在光學(xué)表面上。在蒸發(fā)期間，通過(guò)**控制加熱，真空壓力，基板定位和旋轉(zhuǎn)可以制造出具有特定厚度的均勻光學(xué)鍍膜。 蒸發(fā)具有相對(duì)溫和的性質(zhì)，會(huì)使鍍膜變得松散或多孔。 這種松散的鍍膜具有吸水性，改變了膜層的有效折射率，將導(dǎo)致性能降低。通過(guò)離子束輔助沉積技術(shù)可以增強(qiáng)蒸發(fā)鍍膜，在該過(guò)程中，離子束會(huì)對(duì)準(zhǔn)基片表面。這增加了源材料相對(duì)光學(xué)表面的粘附性，產(chǎn)生更多應(yīng)力，使得鍍膜更致密，更耐久。
 
離子束濺射（IBS）
 
在離子束濺射（IBS）時(shí)，高能電場(chǎng)可以加速離子束。 這種加速度使得離子具有顯著的動(dòng)能。在與源材料撞擊時(shí)，離子束會(huì)將靶材的原子“濺射”出來(lái)。 這些被濺射出來(lái)的靶材離子（原子受電離區(qū)影響變?yōu)殡x子）也具有動(dòng)能，會(huì)在與光學(xué)表面接觸時(shí)產(chǎn)生致密的膜。 IBS是一種**的，重復(fù)性強(qiáng)的技術(shù)。
 
等離子體濺射
 
等離子體濺射是一系列技術(shù)的總稱，例如**等離子體濺射和磁控管濺射。不管是哪種技術(shù)，都包括等離子體的產(chǎn)生。等離子體中的離子經(jīng)加速射入源材料中，撞擊松散的能量源離子，然后濺射到目標(biāo)光學(xué)元件上。 雖然不同類型的等離子體濺射具有其*的性質(zhì)和優(yōu)缺點(diǎn)，不過(guò)我們可以將這些技術(shù)集合在一起，因?yàn)樗鼈兙哂泄餐墓ぷ髟恚鼈冎g的差異，相比這種鍍膜技術(shù)與本文中涉及的其他鍍膜技術(shù)之間的差異小得多。
 
原子層沉積
 
與蒸發(fā)沉積不同，用于原子層沉積（ALD）的源材料不需要從固體中蒸發(fā)出來(lái)，而是直接以氣體的形式存在。 盡管該技術(shù)使用的是氣體，真空室中仍然需要很高的溫度。 在ALD過(guò)程中，氣相前驅(qū)體通過(guò)非重疊式的脈沖進(jìn)行傳遞，且脈沖具有自限制性。 這種工藝擁有*的化學(xué)性設(shè)計(jì)，每個(gè)脈沖只粘附一層，并且對(duì)光學(xué)件表面的幾何形狀沒(méi)有特殊要求。 因此這種工藝使得我們可以高度的對(duì)鍍層厚度和設(shè)計(jì)進(jìn)行控制，但是會(huì)降低沉積的速率。
 
 
鍍膜工藝
 
不同的鍍膜沉積技術(shù)，具有各自的優(yōu)缺點(diǎn)。瑞研光學(xué)可以采用不同的鍍膜沉積技術(shù)為您服務(wù)。 請(qǐng)聯(lián)系瑞研光學(xué)，告訴我們哪種鍍膜技術(shù)適合您的應(yīng)用。